英飛凌igbt相關介紹

日期：2023-03-29 12:18

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摘要：英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球**的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、移動性和**性提供半導體和系統解決方案。 Infineon 英飛凌專注于迎接現代社會的三大科技挑戰：高能效、移動性和 **性，為汽車和工業功率器件、芯片卡和**應用提供半導體和系統解決方案。英飛凌的產品素以高可靠性、**質量和**性著稱，...

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球**的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。
總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現代社會的三大科技挑戰領域——高能效、移動性和**性提供半導體和系統解決方案。
Infineon 英飛凌專注于迎接現代社會的三大科技挑戰：高能效、移動性和 **性，為汽車和工業功率器件、芯片卡和**應用提供半導體和系統解決方案。英飛凌的產品素以高可靠性、**質量和**性著稱，并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領域掌握**技術。英飛凌的業務遍及全球，在美國加州苗必達、亞太地區的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。2018財年（截止 2018年9 月 30 日），公司在全球市場的總營收為75.99億歐元。
英飛凌單管IGBT主要包括兩種類型：不帶反并聯二極管的IGBT和帶反并聯二極管的IGBT。廣泛應用于通用變頻器、太陽能逆變器、不間斷電源、感應加熱應用、大家電、焊接設備以及開關電源等領域。單管IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統成本。

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